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此類(lèi)電源的規(guī)格比現(xiàn)成的標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)關(guān)所需的規(guī)格要嚴(yán)格得多。不僅這些應(yīng)用中的輸入電壓更高,而且為工業(yè)環(huán)境中的三相應(yīng)用所設(shè)計(jì)的設(shè)備還必須容許非常寬的波動(dòng)—包括跌落時(shí)間延長(zhǎng)、電涌以及一個(gè)或多個(gè)相的偶然丟失。而且,此類(lèi)輔助電源的指定輸入電壓范圍可以達(dá)到57 VAC至580 VAC之寬。
設(shè)計(jì)如此寬范圍的開(kāi)關(guān)電源可以說(shuō)是一大挑戰(zhàn),主要在于高壓MOSFET的成本較高以及傳統(tǒng)的PWM控制環(huán)路的動(dòng)態(tài)范圍的限制。StackFET技術(shù)允許組合使用不太昂貴的、額定電壓為600V的低壓MOSFET和Power Integrations提供的集成電源控制器,這樣便可設(shè)計(jì)出簡(jiǎn)單便宜并能夠在寬輸入電壓范圍內(nèi)工作的開(kāi)關(guān)電源。
圖1:采用StackFET技術(shù)的三相輸入3W開(kāi)關(guān)電源
該電路的工作方式如下:電路的輸入端電流可以來(lái)自三相三線或四線系統(tǒng),甚至來(lái)自單相系統(tǒng)。三相整流器由二極管D1-D8構(gòu)成。電阻R1-R4可以提供浪涌電流限制。如果使用可熔電阻,這些電阻便可在故障期間安全斷開(kāi),無(wú)需單獨(dú)配備保險(xiǎn)絲。pi濾波器由C5、C6、C7、C8和L1構(gòu)成,可以過(guò)濾整流直流電壓。
電阻R13和R15用于平衡輸入濾波電容之間的電壓。
當(dāng)集成開(kāi)關(guān)(U1)內(nèi)的MOSFET導(dǎo)通時(shí),Q1的源端將被拉低,R6、R7和R8將提供柵極電流,并且VR1到VR3的結(jié)電容將導(dǎo)通Q1。齊納二極管VR4用于限制施加給Q1的柵極源電壓。當(dāng)U1內(nèi)的MOSFET 關(guān)斷時(shí),U1的最大化漏極電壓將被一個(gè)由VR1、VR2和VR3構(gòu)成的450 V箝位網(wǎng)絡(luò)箝位。這會(huì)將U1的漏極電壓限制到接近450 V。
與Q1相連的繞組結(jié)束時(shí)的任何額外電壓都會(huì)被施加給Q1。這種設(shè)計(jì)可以有效地分配Q1和U1之間的整流輸入直流電壓和反激式電壓總量。電阻R9用于限制開(kāi)關(guān)切換期間的高頻振蕩,由于反激間隔期間存在漏感,箝位網(wǎng)絡(luò)VR5、D9和R10則用于限制初級(jí)上的峰值電壓。
輸出整流由D1提供。C2為輸出濾波器。L2和C3構(gòu)成次級(jí)濾波器,以減小輸出端的開(kāi)關(guān)紋波。
當(dāng)輸出電壓超過(guò)光耦二極管和VR6的總壓降時(shí),VR6將導(dǎo)通。輸出電壓的變化會(huì)導(dǎo)致流經(jīng)U2內(nèi)的光耦二極管的電流發(fā)生變化,進(jìn)而改變流經(jīng)U2B內(nèi)的晶體管的電流。當(dāng)此電流超出U1的FB引腳閾值電流時(shí),將抑制下一個(gè)周期。輸出穩(wěn)壓可以通過(guò)控制使能及抑制周期的數(shù)量來(lái)實(shí)現(xiàn)。一旦開(kāi)關(guān)周期被開(kāi)啟,該周期便會(huì)在電流上升到U1的內(nèi)部電流限制時(shí)結(jié)束。R11用于限制瞬態(tài)負(fù)載時(shí)流經(jīng)光耦器的電流,以及調(diào)整反饋環(huán)路的增益。電阻R12用于偏置齊納二極管VR6。
IC U1 (LNK 304)具有內(nèi)置功能,因此可根據(jù)反饋信號(hào)消失、輸出端短路以及過(guò)載對(duì)該電路提供保護(hù)。由于U1直接由其漏極引腳供電,因此不需要在變壓器上添加額外的偏置繞組。C4用于提供內(nèi)部電源去耦。
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